Intel Completa La Fase del Proceso de Desarrollo de 32 nm de Próxima Generación

  Intel Corporation ha completado la fase de desarrollo de su proceso de fabricación de próxima generación, que reduce todavía más los circuitos a 32 nanómetros (32 milmillonésimas partes de un metro). La compañía estará lista para producir esta futura generación, usando transistores aún más eficientes energéticamente, más densos y con un mejor desempeño, en el último cuarto de 2009.

 

Intel ofrecerá una multitud de detalles técnicos sobre la tecnología de proceso de 32 nm, junto con varios otros temas, durante las presentaciones en el encuentro International Electron Devices (IEDM), que se celebrará la semana que viene en San Francisco. La compañía finalizará la fase de desarrollo de la tecnología de proceso de 32 nm y estará lista para la producción en este período de tiempo, de modo que Intel permanecerá al ritmo adecuado con relación a su ambiciosa cadencia de fabricación y producto, conocida como la estrategia “tic tac” de la empresa.

 

Ese plan gira en torno a la introducción de toda una nueva micro arquitectura de procesador, combinada con un proceso de fabricación de punta, aproximadamente cada 12 meses, un esfuerzo sin comparación en la industria. Al producir chips de 32 nm el próximo año, Intel alcanzará su meta por cuarto año consecutivo.

 

La ponencia y la presentación de Intel sobre la tecnología deh 32 nm describen una lógica que incorpora tecnología high-k + puerta de metal, litografía de inmersión de 193 nm para capas de estandarización críticas y técnicas de prueba de transistores mejoradas. Estas tecnologías mejoran el desempeño y la eficiencia energética de los procesadores de Intel. El proceso de fabricación de Intel tiene el desempeño de transistor más alto y la densidad de transistor más elevada de cualquier tecnología de 32 nm conocida actualmente en la industria.

 

“Nuestra destreza de fabricación y los productos resultantes nos han ayudado a ampliar nuestro liderazgo en el desempeño computacional y duración de baterías para los notebooks basados en tecnología de Intel, los servidores y las computadoras de sobremesa”, afirma Mark Bohr, Intel Senior Fellow y director de Arquitectura de Procesos e Integración. “Como hemos mostrado este año, la estrategia de fabricación y ejecución también nos han dado la habilidad de crear líneas de productos completamente nuevas para Dispositivos Móviles para Internet (MIDs, Mobile Internet Devices), equipos de electrónica de consumo (CE - Consumer Electronics), computadoras embebidas y netbooks”.

 

Otras ponencias de IEDM de Intel describirán un sistema de baja potencia en la versión chip del proceso de 45 nm de Intel, transistores basados en semiconductores compuestos, ingeniería de sustrato para mejorar el desempeño de los transistores de 45 nm, integrando el pulido mecánico y químico al nódulo de 45 nm y más allá; e integrando un abanico de moduladores fotónicos de silicio. Intel también participará en un curso corto sobre la tecnología CMOS de 22 nm.